DMT3009UFVW-7-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
DMT3009UFVW-7-HXY
该N沟道MOSFET具备30A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为9毫欧。 其低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗， 提升系统效率。 适用于中低电压应用场景中的开关与功率控制功能， 例如电源转换、负载开关及便携式设备中的高效能管理模块， 能够满足对热性能和能效有较高要求的设计需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
90
货期
现货
DMT3009UFVW-7-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
DMT3009UFVW-7-HXY概述
该N沟道MOSFET具备30A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为9毫欧。 其低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗， 提升系统效率。 适用于中低电压应用场景中的开关与功率控制功能， 例如电源转换、负载开关及便携式设备中的高效能管理模块， 能够满足对热性能和能效有较高要求的设计需求。
DMT3009UFVW-7-HXY特性
暂无产品特性。
DMT3009UFVW-7-HXY应用领域
暂无应用领域。