DMT3009UFVW-13-HXY
IC
DFN-8(3x3)
可供量大可议
DMT3009UFVW-13-HXY
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备30A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源电压（VDSS）， 适用于多种中等电压应用场景。 其导通电阻（RDON）仅为9毫欧， 显著降低了导通状态下的功率损耗， 提升整体能效。 器件采用通用型封装， 具备良好的散热性能与电气稳定性， 适合用于电源转换、负载开关、电池管理系统以及各类高频开关电路中， 为高效、紧凑的电子设计提供有力支持。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8(3x3)
库存
80
货期
现货
DMT3009UFVW-13-HXY参数
| 封装 | DFN-8(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 80 |
DMT3009UFVW-13-HXY概述
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备30A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源电压（VDSS）， 适用于多种中等电压应用场景。 其导通电阻（RDON）仅为9毫欧， 显著降低了导通状态下的功率损耗， 提升整体能效。 器件采用通用型封装， 具备良好的散热性能与电气稳定性， 适合用于电源转换、负载开关、电池管理系统以及各类高频开关电路中， 为高效、紧凑的电子设计提供有力支持。
DMT3009UFVW-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMT3009UFVW-13-HXY应用领域
暂无应用领域。