DMT3009LFVWQ-7-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
DMT3009LFVWQ-7-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有45A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、6毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。 其较低的导通电阻有助于减小导通损耗， 在中等功率应用中实现较高的能效。 器件适用于需要频繁开关操作的电源管理电路， 可在紧凑型电子设备中提供稳定的功率传输与控制性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
99
货期
现货
DMT3009LFVWQ-7-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 99 |
DMT3009LFVWQ-7-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有45A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、6毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。 其较低的导通电阻有助于减小导通损耗， 在中等功率应用中实现较高的能效。 器件适用于需要频繁开关操作的电源管理电路， 可在紧凑型电子设备中提供稳定的功率传输与控制性能。
DMT3009LFVWQ-7-HXY特性
暂无产品特性。
DMT3009LFVWQ-7-HXY应用领域
暂无应用领域。