DMT3009LFVWQ-13-HXY

该N沟道MOSFET的连续漏极电流为45A， 最大漏源电压为30V， 导通电阻为6毫欧， 栅源驱动电压最高可达20V。 器件在高电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗， 适用于对效率和热性能有较高要求的电源转换场合。 其电气参数组合使其适合用于开关频率较高的电路中， 能够有效支持负载切换与功率调节功能， 满足多种电子系统对可靠功率控制的需求。