DMT3006LFVQ-7-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
DMT3006LFVQ-7-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具备45A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、6毫欧的导通电阻（RDS(ON)）， 以及最大20V的栅源驱动电压（VGS）。 其低导通电阻有助于降低导通损耗， 提升系统效率， 同时支持较高的开关频率。 适用于对能效和热管理有要求的电源转换、电池供电设备及各类高效电子系统中的功率开关应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
98
货期
现货
DMT3006LFVQ-7-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
DMT3006LFVQ-7-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具备45A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、6毫欧的导通电阻（RDS(ON)）， 以及最大20V的栅源驱动电压（VGS）。 其低导通电阻有助于降低导通损耗， 提升系统效率， 同时支持较高的开关频率。 适用于对能效和热管理有要求的电源转换、电池供电设备及各类高效电子系统中的功率开关应用。
DMT3006LFVQ-7-HXY特性
暂无产品特性。
DMT3006LFVQ-7-HXY应用领域
暂无应用领域。