DMT3006LFVQ-13-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
DMT3006LFVQ-13-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有45A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 在栅源电压（VGS）为20V时， 导通电阻（RDS(ON)）为6毫欧。 其低导通电阻有助于有效降低导通状态下的功率损耗， 提升系统效率。 适用于对电流承载能力和开关速度有较高要求的电源管理、电机驱动及高频开关电路等应用， 能够在紧凑的电子系统中实现稳定可靠的性能表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
98
货期
现货
DMT3006LFVQ-13-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
DMT3006LFVQ-13-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有45A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 在栅源电压（VGS）为20V时， 导通电阻（RDS(ON)）为6毫欧。 其低导通电阻有助于有效降低导通状态下的功率损耗， 提升系统效率。 适用于对电流承载能力和开关速度有较高要求的电源管理、电机驱动及高频开关电路等应用， 能够在紧凑的电子系统中实现稳定可靠的性能表现。
DMT3006LFVQ-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMT3006LFVQ-13-HXY应用领域
暂无应用领域。