DMT3006LFV-7-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
DMT3006LFV-7-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具备45A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 在栅源电压（VGS）为20V时， 导通电阻（RDS(ON)）典型值为6毫欧。 低导通电阻有助于降低导通损耗， 提升整体能效， 适用于高效率电源转换、电机控制及高频开关电路等场合。 其电气特性适合需要大电流承载能力和快速开关响应的电子系统， 便于在紧凑布局中实现稳定可靠的功率管理。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
59
货期
现货
DMT3006LFV-7-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 59 |
DMT3006LFV-7-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具备45A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 在栅源电压（VGS）为20V时， 导通电阻（RDS(ON)）典型值为6毫欧。 低导通电阻有助于降低导通损耗， 提升整体能效， 适用于高效率电源转换、电机控制及高频开关电路等场合。 其电气特性适合需要大电流承载能力和快速开关响应的电子系统， 便于在紧凑布局中实现稳定可靠的功率管理。
DMT3006LFV-7-HXY特性
暂无产品特性。
DMT3006LFV-7-HXY应用领域
暂无应用领域。