DMT3006LFG-7-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
DMT3006LFG-7-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具备40A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升整体能效， 适用于中等功率的电源管理、电池保护电路以及高效率DC-DC转换器等应用。 在高频开关操作中， 器件展现出良好的动态特性与热稳定性， 适合对体积和效率有较高要求的电子设备。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
84
货期
现货
DMT3006LFG-7-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 84 |
DMT3006LFG-7-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具备40A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升整体能效， 适用于中等功率的电源管理、电池保护电路以及高效率DC-DC转换器等应用。 在高频开关操作中， 器件展现出良好的动态特性与热稳定性， 适合对体积和效率有较高要求的电子设备。
DMT3006LFG-7-HXY特性
暂无产品特性。
DMT3006LFG-7-HXY应用领域
暂无应用领域。