DMT3006LFG-13-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
DMT3006LFG-13-HXY
该N沟道MOSFET具有40A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧。 在高电流应用中， 其极低的导通损耗有助于减少发热并提升整体能效。 适用于对功率密度和热管理有较高要求的场合， 如开关电源、便携式设备的电源路径控制以及高效电机驱动等电子系统， 能够支持稳定且高效的运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
97
货期
现货
DMT3006LFG-13-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 97 |
DMT3006LFG-13-HXY概述
该N沟道MOSFET具有40A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧。 在高电流应用中， 其极低的导通损耗有助于减少发热并提升整体能效。 适用于对功率密度和热管理有较高要求的场合， 如开关电源、便携式设备的电源路径控制以及高效电机驱动等电子系统， 能够支持稳定且高效的运行。
DMT3006LFG-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMT3006LFG-13-HXY应用领域
暂无应用领域。