DMT2004UFV-13-HXY

这是一款N沟道场效应管（MOSFET）， 具有30V的漏源电压（VDSS）和高达90A的连续漏极电流（ID）， 适用于高电流开关应用。 其导通电阻（RDS(on)）低至3.5mΩ， 有助于减少功率损耗并提升系统整体效率。 该器件适用于大功率电源转换电路、便携式高能设备的电源管理模块、电动工具驱动单元以及电池供电系统的主开关电路。 凭借其优异的电流承载能力和热稳定性， 适合用于对空间紧凑性和能效要求较高的电子设备设计中。