DMT2004UFG-13-HXY

这是一款N沟道场效应管（MOSFET）， 具备30V的漏源电压（VDSS）和高达90A的连续漏极电流（ID）能力， 适用于高电流负载下的开关操作。 其极低的导通电阻（RDS(on)）仅为3.5mΩ， 可有效降低导通损耗， 提高电源转换效率。 该器件适用于大功率电源管理单元、高性能计算模块的电压调节、电动设备驱动电路以及电池供电系统中的主控开关， 满足对电流承载能力和热性能要求较高的设计需求， 适合集成于紧凑型高密度电路中。