DMT10H4M5LPSW-13-HXY

该N沟道MOSFET支持120A的连续漏极电流， 最大漏源电压为100V， 导通电阻仅为3.6毫欧。 低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗， 提升系统能效， 适用于高电流、高效率要求的电源管理、电机控制及高频开关电路等应用。 其电气特性适合在紧凑型设计中实现良好的热性能与稳定运行。