DMT10H4M5LPS-13-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至3.6毫欧。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升系统效率， 适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源转换与开关应用。 器件结构支持高电流承载能力， 在高频开关条件下仍能保持稳定工作特性， 适合用于各类高效能电子设备中的功率管理模块。