DMT10H032LFDF-7
自营可供
IC
UDFN2020-6
DMT10H032LFDF-7
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低， 同时保持卓越的开关性能， 使其非常适合用于高效电源管理应用。
品牌
DIODES
封装
UDFN2020-6
交期
现货
批次
—
DMT10H032LFDF-7参数
| 封装 | UDFN2020-6 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.3nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 6.9pF |
| 配置 | 独立式 |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:100V 电流:6A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 输入电容(Ciss) | 683pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | DMT10H032LFDF-7 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.0011 |
DMT10H032LFDF-7概述
这款新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(ON), 同时保持卓越的开关性能, 非常适合高效电源管理应用。
DMT10H032LFDF-7特性
- 0.6mm厚度
- 适用于薄型应用
- 4平方毫米的PCB占位面积
- 低导通电阻
- 生产过程中进行100%非箝位电感开关(UIS)测试
- 确保最终应用更可靠、更耐用
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑。 “绿色”器件
DMT10H032LFDF-7应用领域
- 电源管理功能
- 电池供电系统和固态继电器
- 驱动器:继电器、螺线管、灯具、锤击器、显示器、存储器、晶体管等