DMT10H025SK3-13-HXY

本N沟道场效应管（MOSFET）具有100V漏源电压（VDSS）和40A连续漏极电流（ID）能力， 适用于多种中高功率电路设计。 导通电阻（RDON）低至20mΩ， 有效降低导通损耗， 提升系统能效。 器件结构稳定， 具备良好的热管理和可靠性表现， 适合用于电源开关、电机控制、LED驱动及家用智能设备等多种应用场景， 满足对性能与耐用性有较高要求的电路需求。