DMT10H025LK3-13-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备100V的漏源耐压（VDSS）和40A的连续漏极电流（ID）能力， 导通电阻（RDON）低至20mΩ， 可显著降低导通损耗， 提升系统效率。 器件适用于中高功率电源转换应用， 如高效能电源供应器、储能系统、电机驱动电路及智能家电中的功率控制模块。 其良好的热稳定性和优异的开关特性， 使其在高频工作环境下仍能保持可靠运行， 满足对功率密度与能效有较高要求的设计场景。