DMT10H010LPS-13-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备优异的电性能和高可靠性， 适用于多种功率电子系统。 其漏极电流ID可达80A， 漏源电压VDSS为100V， 能够支持较高功率密度的设计需求； 导通电阻RDON低至6.4mΩ， 显著降低导通损耗并提高能效。 器件采用先进工艺制造， 具有良好的热稳定性和耐用性， 适合应用于电源管理、开关电源、电机控制及储能设备等对性能要求较高的电路环境中， 满足多样化电子系统的实际需求。