DMT10H009SPSW-13-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
DMT10H009SPSW-13-HXY
该N沟道MOSFET器件具有100V的漏源击穿电压（VDSS）， 在栅源电压（VGS）为20V时， 导通电阻（RDS(ON)）低至7.3毫欧， 可支持高达75A的连续漏极电流（ID）。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升系统效率， 适用于对功率密度和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及高频开关等应用场景。 器件结构优化了开关特性， 在保持高电流承载能力的同时， 具备良好的动态响应能力。
Brand
HXY MOSFET
Package
DFN-8L(5x6)
Stock
99
货期
现货
DMT10H009SPSW-13-HXYParameters
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 99 |
DMT10H009SPSW-13-HXY概述
该N沟道MOSFET器件具有100V的漏源击穿电压（VDSS）， 在栅源电压（VGS）为20V时， 导通电阻（RDS(ON)）低至7.3毫欧， 可支持高达75A的连续漏极电流（ID）。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升系统效率， 适用于对功率密度和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及高频开关等应用场景。 器件结构优化了开关特性， 在保持高电流承载能力的同时， 具备良好的动态响应能力。
DMT10H009SPSW-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMT10H009SPSW-13-HXY应用领域
暂无应用领域。