DMT10H009LPSW-13-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
DMT10H009LPSW-13-HXY
该N沟道MOSFET的额定漏极电流（ID）为75A， 漏源击穿电压（VDSS）为100V， 导通电阻（RDS(ON)）低至6.4毫欧。 其低导通电阻特性有助于显著降低导通状态下的功率损耗， 适用于高电流、高效率要求的电源转换、电机控制、电池管理系统及各类开关电源拓扑结构。 器件在高频开关操作中表现出良好的动态性能， 适合对热管理和能效有较高需求的电子应用场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
84
货期
现货
DMT10H009LPSW-13-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 84 |
DMT10H009LPSW-13-HXY概述
该N沟道MOSFET的额定漏极电流（ID）为75A， 漏源击穿电压（VDSS）为100V， 导通电阻（RDS(ON)）低至6.4毫欧。 其低导通电阻特性有助于显著降低导通状态下的功率损耗， 适用于高电流、高效率要求的电源转换、电机控制、电池管理系统及各类开关电源拓扑结构。 器件在高频开关操作中表现出良好的动态性能， 适合对热管理和能效有较高需求的电子应用场合。
DMT10H009LPSW-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMT10H009LPSW-13-HXY应用领域
暂无应用领域。