DMT10H009LPS-13-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：漏极电流ID为80A， 漏源击穿电压VDSS为100V， 导通电阻RDON低至6.4mΩ， 适用于需要高效能功率管理的各类场景。 该器件采用先进的制造工艺， 具备良好的热稳定性和可靠性， 适合应用于电源转换、电机控制、储能系统以及精密电子设备中的开关电路设计。 其低导通电阻特性有助于减少能量损耗， 提高整体系统效率。