DMS3012SFG-7-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
DMS3012SFG-7-HXY
该N沟道MOSFET的连续漏极电流（ID）为35A， 漏源电压（VDSS）额定值为30V， 导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。 在中等电流应用场景下， 其较低的导通电阻有助于有效控制导通损耗， 维持器件温升在合理范围内。 适用于开关电源、便携式设备供电系统、电机驱动及各类需要高效功率开关功能的电子装置， 能够支持稳定可靠的高频开关操作。
Brand
HXY MOSFET
Package
DFN-8L(3x3)
Stock
97
货期
现货
DMS3012SFG-7-HXYParameters
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 97 |
DMS3012SFG-7-HXY概述
该N沟道MOSFET的连续漏极电流（ID）为35A， 漏源电压（VDSS）额定值为30V， 导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。 在中等电流应用场景下， 其较低的导通电阻有助于有效控制导通损耗， 维持器件温升在合理范围内。 适用于开关电源、便携式设备供电系统、电机驱动及各类需要高效功率开关功能的电子装置， 能够支持稳定可靠的高频开关操作。
DMS3012SFG-7-HXY特性
暂无产品特性。
DMS3012SFG-7-HXY应用领域
暂无应用领域。