DMS3012SFG-13-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
DMS3012SFG-13-HXY
该N沟道MOSFET具备35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。 在导通状态下， 其低阻特性可有效降低功率损耗， 适用于高效率电源管理、直流-直流转换器及便携式电子设备中的开关电路。 由于具有较高的电流承载能力和较低的导通压降， 该器件能够在紧凑布局中稳定运行， 适合对热性能和能效有较高要求的应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
97
货期
现货
DMS3012SFG-13-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 97 |
DMS3012SFG-13-HXY概述
该N沟道MOSFET具备35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。 在导通状态下， 其低阻特性可有效降低功率损耗， 适用于高效率电源管理、直流-直流转换器及便携式电子设备中的开关电路。 由于具有较高的电流承载能力和较低的导通压降， 该器件能够在紧凑布局中稳定运行， 适合对热性能和能效有较高要求的应用场景。
DMS3012SFG-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMS3012SFG-13-HXY应用领域
暂无应用领域。