DMPH6250S-13
IC
SOT-23
可供量大可议
DMPH6250S-13
此MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)）， 同时保持出色的开关性能， 非常适合高效电源管理应用。
品牌
DIODES
封装
SOT-23
库存
500
货期
现货
DMPH6250S-13参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 920mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.3nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 23.2pF |
| 类型 | P沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | DMPH6250S-13 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000125 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 500 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 155mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 512pF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 31.3pF |
| 商品名称 | 1个P沟道 耐压:60V 电流:2.4A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
DMPH6250S-13概述
这款MOSFET旨在将导通电阻RDS(ON)降至最低, 同时保持卓越的开关性能, 非常适合高效电源管理应用。
DMPH6250S-13特性
- 额定温度高达 +175°C, 适用于高环境温度环境
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑, “绿色”器件
- 该产品符合JEDEC标准(参考AEC-Q), 具备高可靠性
- 另有符合汽车应用标准的产品(DMPH6250SQ), 相关数据手册单独提供
DMPH6250S-13应用领域
- 电池充电
- 电源管理功能
- DC-DC转换器
- 负载开关