DMPH6023SK3Q-13-HXY
IC
TO-252-2L(DPAK)
可供量大可议
DMPH6023SK3Q-13-HXY
本款P沟道场效应管（MOSFET）具有60V的漏源耐压（VDSS）和30A的连续漏极电流（ID）能力， 导通电阻（RDON）低至29毫欧， 可有效降低导通损耗并提升系统效率。 器件采用成熟工艺制造， 具备良好的热稳定性和可靠性， 适用于各类中功率电源转换场合。 其P沟道结构在同步整流、电源管理及负载开关等应用场景中表现出色， 有助于简化驱动电路设计， 广泛用于通信设备、消费类电子产品及智能家电中的直流电源控制与分配系统。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L(DPAK)
库存
57
货期
现货
DMPH6023SK3Q-13-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L(DPAK) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 57 |
DMPH6023SK3Q-13-HXY概述
本款P沟道场效应管（MOSFET）具有60V的漏源耐压（VDSS）和30A的连续漏极电流（ID）能力， 导通电阻（RDON）低至29毫欧， 可有效降低导通损耗并提升系统效率。 器件采用成熟工艺制造， 具备良好的热稳定性和可靠性， 适用于各类中功率电源转换场合。 其P沟道结构在同步整流、电源管理及负载开关等应用场景中表现出色， 有助于简化驱动电路设计， 广泛用于通信设备、消费类电子产品及智能家电中的直流电源控制与分配系统。
DMPH6023SK3Q-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMPH6023SK3Q-13-HXY应用领域
暂无应用领域。