DMPH6023SK3-13-HXY
IC
TO-252-2L(DPAK)
可供量大可议
DMPH6023SK3-13-HXY
本款P沟道场效应管（MOSFET）具有60V漏源电压（VDSS）和30A连续漏极电流（ID）能力， 导通电阻（RDON）低至29毫欧， 可显著降低功率损耗并提升系统效率。 器件结构优化， 具备良好的热稳定性和开关特性， 适用于多种电源管理与转换场景。 主要应用包括同步整流、直流电源开关控制、电池管理系统及高效能负载开关电路。 其P沟道设计简化了驱动电路， 广泛用于通信设备、智能家电、便携式电子产品等对效率与空间有要求的应用场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L(DPAK)
库存
92
货期
现货
DMPH6023SK3-13-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L(DPAK) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 92 |
DMPH6023SK3-13-HXY概述
本款P沟道场效应管（MOSFET）具有60V漏源电压（VDSS）和30A连续漏极电流（ID）能力， 导通电阻（RDON）低至29毫欧， 可显著降低功率损耗并提升系统效率。 器件结构优化， 具备良好的热稳定性和开关特性， 适用于多种电源管理与转换场景。 主要应用包括同步整流、直流电源开关控制、电池管理系统及高效能负载开关电路。 其P沟道设计简化了驱动电路， 广泛用于通信设备、智能家电、便携式电子产品等对效率与空间有要求的应用场合。
DMPH6023SK3-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMPH6023SK3-13-HXY应用领域
暂无应用领域。