DMPH4015SK3Q-13-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
DMPH4015SK3Q-13-HXY
该P沟道场效应管最大漏极电流为80A, 漏源击穿电压40V, 导通电阻低至7.3mΩ。 作为高电流负载开关, 其低内阻特性有效减少了导通压降与功率损耗。 适用于电源极性保护、电池充放电管理回路及同步整流电路。 在需要简化栅极驱动设计的高侧开关应用中, 该器件能提供稳定的电流控制能力, 确保系统在紧凑布局下实现高效的热管理与电气性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
DMPH4015SK3Q-13-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
DMPH4015SK3Q-13-HXY概述
该P沟道场效应管最大漏极电流为80A, 漏源击穿电压40V, 导通电阻低至7.3mΩ。 作为高电流负载开关, 其低内阻特性有效减少了导通压降与功率损耗。 适用于电源极性保护、电池充放电管理回路及同步整流电路。 在需要简化栅极驱动设计的高侧开关应用中, 该器件能提供稳定的电流控制能力, 确保系统在紧凑布局下实现高效的热管理与电气性能。
DMPH4015SK3Q-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMPH4015SK3Q-13-HXY应用领域
暂无应用领域。
