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DMPH4015SK3Q-13-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

DMPH4015SK3Q-13-HXY

该P沟道场效应管最大漏极电流为80A, 漏源击穿电压40V, 导通电阻低至7.3mΩ。 作为高电流负载开关, 其低内阻特性有效减少了导通压降与功率损耗。 适用于电源极性保护、电池充放电管理回路及同步整流电路。 在需要简化栅极驱动设计的高侧开关应用中, 该器件能提供稳定的电流控制能力, 确保系统在紧凑布局下实现高效的热管理与电气性能。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

DMPH4015SK3Q-13-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

DMPH4015SK3Q-13-HXY概述

该P沟道场效应管最大漏极电流为80A, 漏源击穿电压40V, 导通电阻低至7.3mΩ。 作为高电流负载开关, 其低内阻特性有效减少了导通压降与功率损耗。 适用于电源极性保护、电池充放电管理回路及同步整流电路。 在需要简化栅极驱动设计的高侧开关应用中, 该器件能提供稳定的电流控制能力, 确保系统在紧凑布局下实现高效的热管理与电气性能。

DMPH4015SK3Q-13-HXY特性

暂无产品特性。

DMPH4015SK3Q-13-HXY应用领域

暂无应用领域。

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