DMPH4015SK3-13-HXY

该P沟道场效应管（MOSFET）额定漏极电流为80A， 漏源击穿电压40V， 导通电阻典型值7.3毫欧。 器件凭借低导通阻抗特性， 有效降低大电流下的功率损耗与温升。 其参数设计适用于高负载切换场景， 常用于电池管理系统、直流电机驱动及便携式设备电源模块， 满足复杂电路对高效能与稳定性的严苛要求。