DMPH4013SK3Q-13-HXY

该P沟道场效应管（MOSFET）最大漏极电流为50A， 漏源击穿电压达40V， 导通电阻低至10mΩ。 其低导通损耗特性适用于高效率电源管理模块、电池保护电路及负载开关设计。 在直流电机驱动与便携式设备供电系统中， 该器件能实现快速开关响应与稳定电流控制， 满足紧凑空间内的热管理需求， 广泛服务于消费电子与通信基础设施领域。