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DMP58D0LFB-7B
IC

X1-DFN1006-3

可供量大可议

DMP58D0LFB-7B

TVS二极管

品牌

DIODES

封装

X1-DFN1006-3

库存

18,593

货期

现货

DMP58D0LFB-7B参数

封装X1-DFN1006-3
品牌DIODES(美台)
批次21+
FET 类型P 通道
漏源电压(Vdss)50V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)8 欧姆 @ 100mA, 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)27pF @ 25V
封装/外壳3-UFDFN
分类场效应管(MOSFET)
库存18,593
MOQ / SPQ1 / 1
技术MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)180mA(Ta)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250µA
安装类型表面贴装型

DMP58D0LFB-7B概述

TVS二极管

DMP58D0LFB-7B特性

暂无产品特性。

DMP58D0LFB-7B应用领域

暂无应用领域。

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