DMP4015SK3Q-13-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
DMP4015SK3Q-13-HXY
该P沟道场效应管最大漏极电流为80A, 漏源击穿电压40V, 导通电阻仅7.3毫欧。 凭借低导通损耗特性, 适用于高效率电源管理、电池保护电路及负载开关应用。 其优异的电流承载能力支持紧凑化设计, 广泛用于消费电子、通信设备及便携式仪器的功率控制环节, 满足对空间与能效有严格要求的电路需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
DMP4015SK3Q-13-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
DMP4015SK3Q-13-HXY概述
该P沟道场效应管最大漏极电流为80A, 漏源击穿电压40V, 导通电阻仅7.3毫欧。 凭借低导通损耗特性, 适用于高效率电源管理、电池保护电路及负载开关应用。 其优异的电流承载能力支持紧凑化设计, 广泛用于消费电子、通信设备及便携式仪器的功率控制环节, 满足对空间与能效有严格要求的电路需求。
DMP4015SK3Q-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMP4015SK3Q-13-HXY应用领域
暂无应用领域。
