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DMP4015SK3Q-13-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

DMP4015SK3Q-13-HXY

该P沟道场效应管最大漏极电流为80A, 漏源击穿电压40V, 导通电阻仅7.3毫欧。 凭借低导通损耗特性, 适用于高效率电源管理、电池保护电路及负载开关应用。 其优异的电流承载能力支持紧凑化设计, 广泛用于消费电子、通信设备及便携式仪器的功率控制环节, 满足对空间与能效有严格要求的电路需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

DMP4015SK3Q-13-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

DMP4015SK3Q-13-HXY概述

该P沟道场效应管最大漏极电流为80A, 漏源击穿电压40V, 导通电阻仅7.3毫欧。 凭借低导通损耗特性, 适用于高效率电源管理、电池保护电路及负载开关应用。 其优异的电流承载能力支持紧凑化设计, 广泛用于消费电子、通信设备及便携式仪器的功率控制环节, 满足对空间与能效有严格要求的电路需求。

DMP4015SK3Q-13-HXY特性

暂无产品特性。

DMP4015SK3Q-13-HXY应用领域

暂无应用领域。

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