DMP4015SK3-13-HXY

该P沟道场效应管（MOSFET）漏源击穿电压为40V， 支持80A连续漏极电流， 导通电阻典型值为7.3mΩ。 低阻抗设计显著降低导通损耗， 优化热管理性能。 适用于高电流电池保护模块、便携式设备电源开关及直流负载切换电路， 在紧凑空间内实现高效反向极性防护与稳定通断控制， 满足大电流应用场景需求。