DMP3099LQ-13-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
DMP3099LQ-13-HXY
这是一款P沟道场效应管, 具有30V的漏源电压(VDSS)和4.1A的连续漏极电流(ID), 导通电阻为48mΩ。 该器件适用于中等功率的开关控制场合, 能够在较低的驱动电压下实现稳定的导通状态。 凭借其合理的导通电阻与电流能力, 可有效减少功率损耗, 提升系统能效。 常用于便携式设备电源管理、电池供电单元的充放电控制、直流负载开关以及各类嵌入式电子系统的电压切换电路中, 满足对空间和效率有要求的应用需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
115
货期
现货
DMP3099LQ-13-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 115 |
DMP3099LQ-13-HXY概述
这是一款P沟道场效应管, 具有30V的漏源电压(VDSS)和4.1A的连续漏极电流(ID), 导通电阻为48mΩ。 该器件适用于中等功率的开关控制场合, 能够在较低的驱动电压下实现稳定的导通状态。 凭借其合理的导通电阻与电流能力, 可有效减少功率损耗, 提升系统能效。 常用于便携式设备电源管理、电池供电单元的充放电控制、直流负载开关以及各类嵌入式电子系统的电压切换电路中, 满足对空间和效率有要求的应用需求。
DMP3099LQ-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMP3099LQ-13-HXY应用领域
暂无应用领域。
