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DMP3018SSS-13-HXY
IC

SOP-8

可供量大可议

DMP3018SSS-13-HXY

该P沟道场效应管漏源电压额定值为30V, 连续漏极电流达15A, 最大栅源电压为20V, 导通电阻低至7.5mΩ。 器件在30V以下电压平台中表现出低损耗特性, 适用于笔记本电脑主板、手持终端及便携设备的电源切换与电池保护电路。 其低内阻有助于减少发热, 提升系统能效, 常用于对空间布局敏感的消费电子类产品功率管理环节。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOP-8

库存

38

货期

现货

DMP3018SSS-13-HXY参数

封装SOP-8
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存38

DMP3018SSS-13-HXY概述

该P沟道场效应管漏源电压额定值为30V, 连续漏极电流达15A, 最大栅源电压为20V, 导通电阻低至7.5mΩ。 器件在30V以下电压平台中表现出低损耗特性, 适用于笔记本电脑主板、手持终端及便携设备的电源切换与电池保护电路。 其低内阻有助于减少发热, 提升系统能效, 常用于对空间布局敏感的消费电子类产品功率管理环节。

DMP3018SSS-13-HXY特性

暂无产品特性。

DMP3018SSS-13-HXY应用领域

暂无应用领域。

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