DMP3018SSS-13-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
DMP3018SSS-13-HXY
该P沟道场效应管漏源电压额定值为30V, 连续漏极电流达15A, 最大栅源电压为20V, 导通电阻低至7.5mΩ。 器件在30V以下电压平台中表现出低损耗特性, 适用于笔记本电脑主板、手持终端及便携设备的电源切换与电池保护电路。 其低内阻有助于减少发热, 提升系统能效, 常用于对空间布局敏感的消费电子类产品功率管理环节。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
38
货期
现货
DMP3018SSS-13-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 38 |
DMP3018SSS-13-HXY概述
该P沟道场效应管漏源电压额定值为30V, 连续漏极电流达15A, 最大栅源电压为20V, 导通电阻低至7.5mΩ。 器件在30V以下电压平台中表现出低损耗特性, 适用于笔记本电脑主板、手持终端及便携设备的电源切换与电池保护电路。 其低内阻有助于减少发热, 提升系统能效, 常用于对空间布局敏感的消费电子类产品功率管理环节。
DMP3018SSS-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMP3018SSS-13-HXY应用领域
暂无应用领域。
