DMP3018SFVQ-7-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
DMP3018SFVQ-7-HXY
该P沟道场效应管（MOSFET）的漏源击穿电压为30V， 最大连续漏极电流达55A， 导通电阻典型值为8毫欧。 低导通电阻特性有助于降低功率损耗与温升， 提升电路能效。 器件适用于电池保护模块、负载开关及便携式设备的电源管理回路， 能够在紧凑空间内提供稳定的功率切换控制， 满足消费电子对高效能与小体积的设计需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
20
货期
现货
DMP3018SFVQ-7-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
DMP3018SFVQ-7-HXY概述
该P沟道场效应管（MOSFET）的漏源击穿电压为30V， 最大连续漏极电流达55A， 导通电阻典型值为8毫欧。 低导通电阻特性有助于降低功率损耗与温升， 提升电路能效。 器件适用于电池保护模块、负载开关及便携式设备的电源管理回路， 能够在紧凑空间内提供稳定的功率切换控制， 满足消费电子对高效能与小体积的设计需求。
DMP3018SFVQ-7-HXY特性
暂无产品特性。
DMP3018SFVQ-7-HXY应用领域
暂无应用领域。