DMP3018SFVQ-13-HXY

该P沟道场效应管（MOSFET）具备30V漏源击穿电压， 最大连续漏极电流达55A， 导通电阻低至8毫欧。 凭借低导通损耗特性， 器件在电池保护、负载开关及电源管理电路中表现优异。 其参数设计有助于提升系统能效， 减少发热， 适用于对空间与热性能有严格要求的便携式设备及消费类电子产品的功率控制环节。