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DMP3018SFV-7-HXY
IC

DFN-8L(3x3)

可供量大可议

DMP3018SFV-7-HXY

该P沟道场效应管额定漏极电流为55A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻典型值为8毫欧。 器件凭借低导通损耗特性, 适用于电池保护电路、负载开关及电源管理模块。 在便携式设备供电切换与直流电机驱动场景中, 其低内阻设计有助于提升系统效率并减少发热, 满足高电流密度下的稳定运行需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(3x3)

库存

40

货期

现货

DMP3018SFV-7-HXY参数

封装DFN-8L(3x3)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存40

DMP3018SFV-7-HXY概述

该P沟道场效应管额定漏极电流为55A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻典型值为8毫欧。 器件凭借低导通损耗特性, 适用于电池保护电路、负载开关及电源管理模块。 在便携式设备供电切换与直流电机驱动场景中, 其低内阻设计有助于提升系统效率并减少发热, 满足高电流密度下的稳定运行需求。

DMP3018SFV-7-HXY特性

暂无产品特性。

DMP3018SFV-7-HXY应用领域

暂无应用领域。

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