DMP3018SFV-7-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
DMP3018SFV-7-HXY
该P沟道场效应管额定漏极电流为55A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻典型值为8毫欧。 器件凭借低导通损耗特性, 适用于电池保护电路、负载开关及电源管理模块。 在便携式设备供电切换与直流电机驱动场景中, 其低内阻设计有助于提升系统效率并减少发热, 满足高电流密度下的稳定运行需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
40
货期
现货
DMP3018SFV-7-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
DMP3018SFV-7-HXY概述
该P沟道场效应管额定漏极电流为55A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻典型值为8毫欧。 器件凭借低导通损耗特性, 适用于电池保护电路、负载开关及电源管理模块。 在便携式设备供电切换与直流电机驱动场景中, 其低内阻设计有助于提升系统效率并减少发热, 满足高电流密度下的稳定运行需求。
DMP3018SFV-7-HXY特性
暂无产品特性。
DMP3018SFV-7-HXY应用领域
暂无应用领域。
