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DMP3011SFVW-7-MS
IC

DFN-8L(3x3)

可供量大可议

DMP3011SFVW-7-MS

此款DMP3011SFVW-7-MS场效应管, 它具有30V的漏源击穿电压(VDSS)和55A的最大连续漏极电流(ID), 适用于高电流场景下的稳定工作。 导通电阻(RDON)低至8毫欧, 可有效降低导通损耗, 提高系统效率。 采用P沟道结构设计, 适合用于电源管理、负载开关、电池供电设备以及各类便携式电子产品中的高效电路控制。 其优异的电气性能和广泛的工作范围, 使其在复杂环境中仍能保持可靠运行。

品牌

MSKSEMI

封装

DFN-8L(3x3)

库存

750

货期

现货

DMP3011SFVW-7-MS参数

封装DFN-8L(3x3)
品牌MSKSEMI(美森科)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存750

DMP3011SFVW-7-MS概述

此款DMP3011SFVW-7-MS场效应管, 它具有30V的漏源击穿电压(VDSS)和55A的最大连续漏极电流(ID), 适用于高电流场景下的稳定工作。 导通电阻(RDON)低至8毫欧, 可有效降低导通损耗, 提高系统效率。 采用P沟道结构设计, 适合用于电源管理、负载开关、电池供电设备以及各类便携式电子产品中的高效电路控制。 其优异的电气性能和广泛的工作范围, 使其在复杂环境中仍能保持可靠运行。

DMP3011SFVW-7-MS特性

暂无产品特性。

DMP3011SFVW-7-MS应用领域

暂无应用领域。

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