DMP3011SFVW-7-MS
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
DMP3011SFVW-7-MS
此款DMP3011SFVW-7-MS场效应管, 它具有30V的漏源击穿电压(VDSS)和55A的最大连续漏极电流(ID), 适用于高电流场景下的稳定工作。 导通电阻(RDON)低至8毫欧, 可有效降低导通损耗, 提高系统效率。 采用P沟道结构设计, 适合用于电源管理、负载开关、电池供电设备以及各类便携式电子产品中的高效电路控制。 其优异的电气性能和广泛的工作范围, 使其在复杂环境中仍能保持可靠运行。
品牌
MSKSEMI
封装
DFN-8L(3x3)
库存
750
货期
现货
DMP3011SFVW-7-MS参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 750 |
DMP3011SFVW-7-MS概述
此款DMP3011SFVW-7-MS场效应管, 它具有30V的漏源击穿电压(VDSS)和55A的最大连续漏极电流(ID), 适用于高电流场景下的稳定工作。 导通电阻(RDON)低至8毫欧, 可有效降低导通损耗, 提高系统效率。 采用P沟道结构设计, 适合用于电源管理、负载开关、电池供电设备以及各类便携式电子产品中的高效电路控制。 其优异的电气性能和广泛的工作范围, 使其在复杂环境中仍能保持可靠运行。
DMP3011SFVW-7-MS特性
暂无产品特性。
DMP3011SFVW-7-MS应用领域
暂无应用领域。
