DMP2200UFCL-7
IC
UDFN1616-6
可供量大可议
DMP2200UFCL-7
该器件采用热性能和空间效率俱佳的U-DFN1616-6（F型）封装， 提供高性能、低RDS(ON)的P沟道MOSFET。 该MOSFET的低RDS(ON)特性可确保降低传导损耗， 使其非常适合用于以下应用。
品牌
DIODES
封装
UDFN1616-6
库存
30
货期
现货
DMP2200UFCL-7参数
| 封装 | UDFN1616-6 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
DMP2200UFCL-7概述
该器件采用热性能和空间效率俱佳的U-DFN1616-6（F型）封装， 提供高性能、低RDS(ON)的P沟道MOSFET。 该MOSFET的低RDS(ON)特性可确保降低传导损耗， 使其非常适合用于以下应用。
DMP2200UFCL-7特性
暂无产品特性。
DMP2200UFCL-7应用领域
暂无应用领域。