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DMP2070UQ-13-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

DMP2070UQ-13-HXY

该P沟道场效应管最大漏极电流为5A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻35mΩ。 器件在低电压应用中具备较低的导通损耗, 适用于电池管理、便携设备及低压电源切换电路。 其参数设计优化了电流承载能力与热性能, 适合对空间布局与能效有明确要求的紧凑型电子系统。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

90

货期

现货

DMP2070UQ-13-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存90

DMP2070UQ-13-HXY概述

该P沟道场效应管最大漏极电流为5A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻35mΩ。 器件在低电压应用中具备较低的导通损耗, 适用于电池管理、便携设备及低压电源切换电路。 其参数设计优化了电流承载能力与热性能, 适合对空间布局与能效有明确要求的紧凑型电子系统。

DMP2070UQ-13-HXY特性

暂无产品特性。

DMP2070UQ-13-HXY应用领域

暂无应用领域。

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