DMP2070UQ-13-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
DMP2070UQ-13-HXY
该P沟道场效应管最大漏极电流为5A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻35mΩ。 器件在低电压应用中具备较低的导通损耗, 适用于电池管理、便携设备及低压电源切换电路。 其参数设计优化了电流承载能力与热性能, 适合对空间布局与能效有明确要求的紧凑型电子系统。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
90
货期
现货
DMP2070UQ-13-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
DMP2070UQ-13-HXY概述
该P沟道场效应管最大漏极电流为5A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻35mΩ。 器件在低电压应用中具备较低的导通损耗, 适用于电池管理、便携设备及低压电源切换电路。 其参数设计优化了电流承载能力与热性能, 适合对空间布局与能效有明确要求的紧凑型电子系统。
DMP2070UQ-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMP2070UQ-13-HXY应用领域
暂无应用领域。
