DMP2070U-13-HXY

本款P沟道场效应管（MOSFET）具有20V的漏源耐压（VDSS）， 可承受连续漏极电流（ID）达4.1A， 导通电阻（RDON）低至34毫欧。 该参数组合使其在中低功率电源管理应用中表现出色， 适用于各类便携式电子设备、消费类电子产品及小型电源转换装置中的高效开关控制。 器件采用成熟工艺制造， 具备良好的热稳定性和可靠性， 适用于需要紧凑布局和高效能表现的电路设计场景。