DMP2066LDM-7
IC
SOT-26
可供量大可议
DMP2066LDM-7
特性：低RDS(ON)：40mΩ @VGS =-4.5V； 70mΩ @VGS =-2.5V。 低输入/输出泄漏。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准， 可靠性高。 具备生产件批准程序（PPAP）能力
品牌
DIODES
封装
SOT-26
库存
5
货期
现货
DMP2066LDM-7参数
| 封装 | SOT-26 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
DMP2066LDM-7概述
特性：低RDS(ON)：40mΩ @VGS =-4.5V； 70mΩ @VGS =-2.5V。 低输入/输出泄漏。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准， 可靠性高。 具备生产件批准程序（PPAP）能力
DMP2066LDM-7特性
暂无产品特性。
DMP2066LDM-7应用领域
暂无应用领域。