DMP2065UFDB-7
自营可供
IC
DFN2020-6D
RoHS
DMP2065UFDB-7
MOSFET-阵列-2-个-P-沟道（双）-20V-4.5A（Ta）-1.54W-表面贴装型-U-DFN2020-6（B-类）
品牌
DIODES
封装
DFN2020-6D
交期
现货
批次
两年外
DMP2065UFDB-7参数
| 封装 | DFN2020-6D |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| 批次 | 两年外 |
| 数量 | 2个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 752pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 87pF |
| 商品名称 | 双P沟道增强型MOSFET， 低导通电阻、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出泄漏， 无铅且符合RoHS标准 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48,031 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 1.54W |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.1nC |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF |
| 类型 | P沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
| 商品型号 | DMP2065UFDB-7 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3.19e-05 |
DMP2065UFDB-7概述
MOSFET-阵列-2-个-P-沟道（双）-20V-4.5A（Ta）-1.54W-表面贴装型-U-DFN2020-6（B-类）
DMP2065UFDB-7特性
- 低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑, “绿色”器件-该器件符合JEDEC标准(参考AEC-Q), 具备高可靠性
DMP2065UFDB-7应用领域
- 电池充电-电源管理功能-DC-DC转换器-便携式电源适配器