DMP2010UFV-7-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
DMP2010UFV-7-HXY
本产品为P沟道场效应管（MOSFET）， 具备20V的漏源电压（VDSS）和60A的连续漏极电流（ID）能力， 导通电阻（RDON）低至7mΩ， 可有效降低导通损耗并提升效率。 适用于高密度电源转换系统、同步整流电路及负载开关等场景， 在高频开关应用中表现出优异的热稳定性和响应速度。 该器件采用标准封装形式， 便于集成于各类紧凑型电子设备中， 满足多样化电路设计需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
95
货期
现货
DMP2010UFV-7-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 95 |
DMP2010UFV-7-HXY概述
本产品为P沟道场效应管（MOSFET）， 具备20V的漏源电压（VDSS）和60A的连续漏极电流（ID）能力， 导通电阻（RDON）低至7mΩ， 可有效降低导通损耗并提升效率。 适用于高密度电源转换系统、同步整流电路及负载开关等场景， 在高频开关应用中表现出优异的热稳定性和响应速度。 该器件采用标准封装形式， 便于集成于各类紧凑型电子设备中， 满足多样化电路设计需求。
DMP2010UFV-7-HXY特性
暂无产品特性。
DMP2010UFV-7-HXY应用领域
暂无应用领域。