DMP1245UFCL-7
IC
X1-DFN1616-6
可供量大可议
DMP1245UFCL-7
特性：典型离板高度为 0.5mm， 非常适合薄型应用。 低 RDS(ON) 可最大限度地降低传导损耗。 PCB 占位面积为 2.56mm²。 3kV ESD 保护栅极， 可防止人体静电放电。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， 环保型器件。 应用：电池断开开关。 用于电源管理功能的负载开关
品牌
DIODES
封装
X1-DFN1616-6
库存
96
货期
现货
DMP1245UFCL-7参数
| 封装 | X1-DFN1616-6 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 96 |
DMP1245UFCL-7概述
特性：典型离板高度为 0.5mm， 非常适合薄型应用。 低 RDS(ON) 可最大限度地降低传导损耗。 PCB 占位面积为 2.56mm²。 3kV ESD 保护栅极， 可防止人体静电放电。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， 环保型器件。 应用：电池断开开关。 用于电源管理功能的负载开关
DMP1245UFCL-7特性
暂无产品特性。
DMP1245UFCL-7应用领域
暂无应用领域。