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DMP1100UCB4-7
IC

X2-WLB0808-4

可供量大可议

DMP1100UCB4-7

场效应管(MOSFET) 670mW 12V 2.5A 1个P沟道

品牌

DIODES

封装

X2-WLB0808-4

库存

14,564

货期

现货

DMP1100UCB4-7参数

封装X2-WLB0808-4
品牌DIODES(美台)
批次17+
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))170mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))800mV
输入电容(Ciss)820pF
工作温度-55℃~+150℃
分类场效应管(MOSFET)
库存14,564
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)12V
耗散功率(Pd)1.1W
栅极电荷量(Qg)14nC@4.5V
反向传输电容(Crss)280pF

DMP1100UCB4-7概述

场效应管(MOSFET) 670mW 12V 2.5A 1个P沟道

DMP1100UCB4-7特性

暂无产品特性。

DMP1100UCB4-7应用领域

暂无应用领域。

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