DMP1045UFY4-7
IC
XFDFN-3
可供量大可议
DMP1045UFY4-7
新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(on))， 同时保持出色的开关性能， 非常适合高效电源管理应用。
品牌
DIODES
封装
XFDFN-3
库存
290
货期
现货
DMP1045UFY4-7参数
| 封装 | XFDFN-3 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 12V |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 栅极电荷量(Qg) | 23.7nC@8V |
| 反向传输电容(Crss) | 242pF |
| 类型 | P沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
| 商品型号 | DMP1045UFY4-7 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3.8e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 290 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@1.8V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 1.291nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 266pF |
| 商品名称 | 1个P沟道 耐压:12V 电流:5.5A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
DMP1045UFY4-7概述
这款新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(on)), 同时保持卓越的开关性能, 使其非常适合高效电源管理应用。
DMP1045UFY4-7特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 静电放电(ESD)防护能力高达3kV
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑, “绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证, 具备高可靠性
DMP1045UFY4-7应用领域
- 直流-直流转换器
- 电源管理功能
- 模拟开关