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DMNH6021SK3Q-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

DMNH6021SK3Q-HXY

此场效应管为N型, 电流50A, 可适应较大功率需求。 电压60V, 适用于多种常见电路环境。 内阻典型值15mR, 能在一定程度上控制能量损耗。 VGS为20V。 在消费电子领域, 可用于对电流和电压有较高要求的电子设备中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

11

货期

现货

DMNH6021SK3Q-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存11

DMNH6021SK3Q-HXY概述

此场效应管为N型, 电流50A, 可适应较大功率需求。 电压60V, 适用于多种常见电路环境。 内阻典型值15mR, 能在一定程度上控制能量损耗。 VGS为20V。 在消费电子领域, 可用于对电流和电压有较高要求的电子设备中。

DMNH6021SK3Q-HXY特性

暂无产品特性。

DMNH6021SK3Q-HXY应用领域

暂无应用领域。

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