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DMN65D8LQ-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

DMN65D8LQ-HXY

此场效应管为N型。 电流为0.3A, 适用于低电流需求的场合。 电压达60V, 可在较高电压环境下工作。 内阻典型值1000mR。 VGS为20V。 可应用于各类电子产品中, 在小电流、高电压的特定场景下进行电源控制和信号处理。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

100

货期

现货

DMN65D8LQ-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类场效应管(MOSFET)
库存100

DMN65D8LQ-HXY概述

此场效应管为N型。 电流为0.3A, 适用于低电流需求的场合。 电压达60V, 可在较高电压环境下工作。 内阻典型值1000mR。 VGS为20V。 可应用于各类电子产品中, 在小电流、高电压的特定场景下进行电源控制和信号处理。

DMN65D8LQ-HXY特性

暂无产品特性。

DMN65D8LQ-HXY应用领域

暂无应用领域。

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