DMN65D8LQ-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
DMN65D8LQ-HXY
此场效应管为N型。 电流为0.3A, 适用于低电流需求的场合。 电压达60V, 可在较高电压环境下工作。 内阻典型值1000mR。 VGS为20V。 可应用于各类电子产品中, 在小电流、高电压的特定场景下进行电源控制和信号处理。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
100
货期
现货
DMN65D8LQ-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
DMN65D8LQ-HXY概述
此场效应管为N型。 电流为0.3A, 适用于低电流需求的场合。 电压达60V, 可在较高电压环境下工作。 内阻典型值1000mR。 VGS为20V。 可应用于各类电子产品中, 在小电流、高电压的特定场景下进行电源控制和信号处理。
DMN65D8LQ-HXY特性
暂无产品特性。
DMN65D8LQ-HXY应用领域
暂无应用领域。
