DMN62D0U-7-VB
IC
SOT-23-3
可供量大可议
DMN62D0U-7-VB
台积电流片， 长电科技封装； SOT23； N—Channel沟道, 60V； 0.25A； RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V, VGS=±20V； Vth=1~2.5V； 这是一款单N沟道MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于低功率电路应用； 列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。
品牌
VBsemi
封装
SOT-23-3
库存
10
货期
现货
DMN62D0U-7-VB参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
DMN62D0U-7-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； SOT23； N—Channel沟道, 60V； 0.25A； RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V, VGS=±20V； Vth=1~2.5V； 这是一款单N沟道MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于低功率电路应用； 列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。
DMN62D0U-7-VB特性
暂无产品特性。
DMN62D0U-7-VB应用领域
暂无应用领域。