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DMN6140L-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

DMN6140L-HXY

这款N型场效应管, 适用于高效能电子系统。 其参数为:最大电流3A, 耐压60V, 内阻典型值72mΩ, 栅源极电压VGS为20V。 它具备出色的开关性能和低导通损耗, 非常适合用于要求严苛的电子设备中, 能够提升系统的稳定性和能效比。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

340

货期

现货

DMN6140L-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类场效应管(MOSFET)
库存340

DMN6140L-HXY概述

这款N型场效应管, 适用于高效能电子系统。 其参数为:最大电流3A, 耐压60V, 内阻典型值72mΩ, 栅源极电压VGS为20V。 它具备出色的开关性能和低导通损耗, 非常适合用于要求严苛的电子设备中, 能够提升系统的稳定性和能效比。

DMN6140L-HXY特性

暂无产品特性。

DMN6140L-HXY应用领域

暂无应用领域。

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